Yapay zeka, veri merkezleri ve yüksek bant genişliğine sahip uygulamalar için gerekli olan bellek performansı her gün biraz daha kritik hale geliyor. Samsung, bu alandaki uzun süredir tartışılan bir engeli geçerek dikkat çekici bir adım attı: 10nm sınırını aşan üretim süreciyle DRAM yoğunluğunu önemli ölçüde artırmayı hedefliyor.
Yeni geliştirilen üretim süreci olan 10a, mevcut 6F yapıdaki hücreleri 4F kare tasarıma taşıyarak çip başına hücre yoğunluğunu %30–%50 arasında yükseltebiliyor. Bu değişiklik, daha büyük kapasite ve daha verimli enerji kullanımı anlamına geliyor. Ayrıca silikon yerine IGZO (Indium Gallium Zinc Oxide) gibi ileri malzemelerin kullanılması planlanıyor; bu, daralan hücrelerde veri sızıntısını azaltıp veri tutarlılığını güçlendirecek bir adım olarak öne çıkıyor.
Bu teknolojinin seri üretime geçişinin 2028 yılına işaret ettiği belirtiliyor. Ardından 3D DRAM mimarisine geçiş hedefleniyor ve bellek tarafında yapay zeka ile veri merkezi uygulamalarında doğrudan performans artışı bekleniyor. Ayrıca artan verimlilik, piyasa dengelerini iyileştirecek tedarik sorunlarını da hafifletebilir.
